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MOS管主要參數(shù)及使用注意事項(xiàng)1.選用合適mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么的輸入電壓規(guī)格;2.選擇合適的功率。為mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么了使電源的壽命增長(zhǎng)mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么，建議選用多30%輸出功率額定的機(jī)種。例如若系統(tǒng)需要一個(gè)1...
振邦微科技 2023-04-02 芯片常識(shí) 205 ℃ 3 評(píng)論 查看詳細(xì)
怎樣判斷MOS管是否工作在“開(kāi)關(guān)狀態(tài)”mos管的放大區(qū)就是飽和區(qū)，mos的三種狀態(tài)沒(méi)有擊穿區(qū)，是截至區(qū)，擊穿區(qū)可以定義為第四種狀態(tài)。哪位大神能告告我怎么分析mos管的三個(gè)工作狀態(tài)呢？拜托估計(jì)mos管三種狀態(tài)你沒(méi)有好好看過(guò)書(shū)，這個(gè)問(wèn)題在模電書(shū)上寫(xiě)得十分清楚...
振邦微科技 2023-03-31 芯片常識(shí) 301 ℃ 1 評(píng)論 查看詳細(xì)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)？場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類(lèi)。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，...
振邦微科技 2023-03-30 芯片常識(shí) 99 ℃ 3 評(píng)論 查看詳細(xì)
場(chǎng)效應(yīng)管分為幾種？場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種電壓掌握電流器件。其特色是輸出電阻高，噪聲系數(shù)低，受溫度和輻射影響小。因此特殊運(yùn)用于高敏銳度、低噪聲電路中。場(chǎng)效應(yīng)管的品種許多，按構(gòu)造可分為兩大類(lèi)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（IGFET）.結(jié)型場(chǎng)效...
振邦微科技 2023-03-30 芯片常識(shí) 126 ℃ 1 評(píng)論 查看詳細(xì)
mos管是什么原理？起什么作用？工作原理：MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速度應(yīng)該比三極管...
振邦微科技 2023-03-28 芯片常識(shí) 394 ℃ 3 評(píng)論 查看詳細(xì)
場(chǎng)效應(yīng)管的特性是什么？1、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS(柵源電壓)來(lái)控制ID（漏極電流）；2、場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。3、利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；4、組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要...
振邦微科技 2023-03-28 芯片常識(shí) 156 ℃ 2 評(píng)論 查看詳細(xì)
MOS管的引腳，G、S、D分別代表什么？G：gate柵極mos管管腳判斷；S：source源極；D：drain漏極。N溝道的電源一般接在Dmos管管腳判斷，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。無(wú)論N型或者P型MOS管，其工作原...
振邦微科技 2023-03-27 芯片常識(shí) 149 ℃ 3 評(píng)論 查看詳細(xì)
mos場(chǎng)效應(yīng)管p型和n型如何區(qū)分？MOS場(chǎng)效應(yīng)管分J型，增強(qiáng)型，耗盡型。一般來(lái)說(shuō)N溝道是導(dǎo)電溝道是N型半導(dǎo)體，P溝道是P型半導(dǎo)體，然后再區(qū)分柵極壓降是要正開(kāi)啟還是負(fù)開(kāi)啟。mos場(chǎng)效應(yīng)管在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有極高的輸入電阻。結(jié)型場(chǎng)效...
振邦微科技 2023-03-26 芯片常識(shí) 110 ℃ 3 評(píng)論 查看詳細(xì)
怎么分辨場(chǎng)管的,GDS?MOS管的G與DS用萬(wàn)用表打通斷是正反接都不通，這樣可以判斷出G;D與S之間有一個(gè)PN結(jié)，市場(chǎng)上多得是N溝道，所以測(cè)出有正向二極管特性的那兩只腳中，正表筆接的是S極；為進(jìn)一步測(cè)試，可用萬(wàn)用表的紅筆接G，黑筆接S，然后將紅筆接到D上，...
振邦微科技 2023-03-26 芯片常識(shí) 248 ℃ 1 評(píng)論 查看詳細(xì)
怎么用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的好壞?以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例4腳mos管測(cè)好壞，來(lái)詳細(xì)介紹一下具體4腳mos管測(cè)好壞的測(cè)量方法。1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞的測(cè)量方法2.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極。測(cè)量5N60C好壞時(shí)，首先將...
振邦微科技 2023-03-25 芯片常識(shí) 109 ℃ 3 評(píng)論 查看詳細(xì)