怎樣判斷mos管是否工作在“開(kāi)關(guān)狀態(tài)
”

mos管的放大區(qū)就是飽和區(qū)，mos的三種狀態(tài)沒(méi)有擊穿區(qū) ，是截至區(qū) 
，擊穿區(qū)可以定義為第四種狀態(tài) 。

哪位大神能告告我怎么分析mos管的三個(gè)工作狀態(tài)呢？拜托

估計(jì)mos管三種狀態(tài)你沒(méi)有好好看過(guò)書(shū)，這個(gè)問(wèn)題在模電書(shū)上寫(xiě)得十分清楚mos管三種狀態(tài)：

對(duì)于MOSFET而言 ，

(1) |Ugs|Ugs(th)：截止區(qū)：

(2)|Ugs|Ugs(th)
，然后比較|Uds|與Ugs-Ugs(th)mos管三種狀態(tài)的大?。?/p>

如果相等：預(yù)夾斷mos管三種狀態(tài)；

如果小于：可變電阻區(qū)mos管三種狀態(tài)；

如果大于：恒流區(qū)；

下面問(wèn)題簡(jiǎn)單了：

第一個(gè)，ugs=6V ，uds=8V，恒流區(qū)

第二個(gè)
，ugs=0V，截止區(qū)；

第三個(gè) ，ugs=-6V
，uds=-1V，可變電阻區(qū)；這個(gè)管子是p溝道增強(qiáng)型MOSFET ，其他兩個(gè)都是N-MOSFET

如下圖，NMOS管的工作狀態(tài)是怎樣的？

這是個(gè)自給偏置的電路結(jié)構(gòu)mos管三種狀態(tài) ，所以柵極電壓確定mos管三種狀態(tài)了
，那么源極電壓也就確定了mos管三種狀態(tài)；

另外BSS169為N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管，在 Ugs=0V ，即具有導(dǎo)通能力
，也就是說(shuō)，Ug=5V時(shí) ，Us=5V
。

proteus里面mos管在哪找

MOS管是一種晶體管，可以理解為：一個(gè)受電壓控制的電阻。根據(jù)電壓的大小可以調(diào)節(jié)MOS管的電阻大小
，在工作中的MOS管根據(jù)電阻的大小可以分為三種區(qū)域（三種狀態(tài)）：

1 、導(dǎo)通區(qū)（電阻幾乎為0，一般就是幾十mΩ ，相當(dāng)于短路）；

2
、可變電阻區(qū)（類似一個(gè)可調(diào)電阻
，阻值大小受電壓控制）；

3、截止區(qū)（電阻幾乎無(wú)窮大，相當(dāng)于斷路） 。

應(yīng)用范圍很廣 ，可大體分為幾種狀態(tài)：

1 、MOS工作在導(dǎo)通區(qū)或者截止區(qū)的時(shí)候可以當(dāng)開(kāi)關(guān)使用
。外加AH M信號(hào)可以用于調(diào)壓
，電機(jī)調(diào)速等方面。

2
、幾個(gè)MOS管搭配可以起到單向?qū)ǖ淖饔茫愃贫O管單向?qū)ǎ?，比二極管有優(yōu)勢(shì)的地方是壓降小、功耗低 ，導(dǎo)通電流大 。低電壓大電流的情況下優(yōu)勢(shì)更明顯；

3 、工作在可變電阻區(qū)的時(shí)候可以當(dāng)一個(gè)電阻使用
，一般集成芯片中的電阻就是使用這種方式的電阻，優(yōu)勢(shì)是生產(chǎn)方便 ，體積小巧。

4、工作在可變電阻區(qū)還可以起到放大的作用
，與三極管放大電路類似
。

MOS管的工作狀態(tài)判斷

一共分四個(gè)區(qū)：可變阻區(qū)mos管三種狀態(tài)；預(yù)夾斷區(qū)mos管三種狀態(tài)；飽和區(qū)mos管三種狀態(tài)，恒流區(qū)或放大區(qū)；截止區(qū)或全夾斷區(qū)。JFET則分為：可變阻區(qū)；飽和區(qū)mos管三種狀態(tài) ，恒流區(qū)或放大區(qū)mos管三種狀態(tài)，截止區(qū)；全夾斷區(qū)

mos管三種狀態(tài)的介紹就聊到這里吧
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