G:gate 柵極mos管管腳判斷;S:source 源極;D:drain 漏極。N溝道的電源一般接在Dmos管管腳判斷,輸出S,P溝道的電源一般接在S ,輸出D。
增強耗盡接法基本一樣 。
無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質是一樣的。
擴展資料
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的 ,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。
場效應管(FET),把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。
參考資料MOS管_百度百科
mos管比較好判斷的是柵極G,漏極D和源極S不好區(qū)分 。
首先說一下數(shù)字表和模擬(指針表)的區(qū)別 ,數(shù)字表的紅 、黑表筆對應代表正、負,指針表的紅表筆代表負,黑表筆代表正 ,這是表的原理決定的。
其次,管腳的判定,因為MOS管的工作原理是電壓控制形成(阻斷)導電溝道的,我們就用萬用表的二極管檔位(數(shù)字表) ,電阻的10k黨(模擬表),來施加柵極控制電壓;觀察:一般源極是和外殼連在一塊的,負極接源極 ,正極分別接另兩個管腳,數(shù)字減小或者指針偏轉大的腳是漏極,另一腳就是柵極了
一.紅左 ,黑中、右無窮大黑左,紅中 、右無窮大紅中,黑右無窮大;黑中紅右顯示530(左右)。其實場效應管三極管很好判斷:有字面朝上從左到右依次為:G、D、S ,有些管相反:S 、D、G 。我修顯示器、主板 、電源都是從上面的方法測絕對沒問題。你不信隨便拆塊板看一看,場效應管在電路圖板的布局及應VMOS大功率場效應晶體管的檢測。
二.1判別各電極與管型 。用萬用表R×100檔,測量場效應晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆 ,這時兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D,而另一引腳為柵極G。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳(漏極D與源極S)之間的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值為2kΩ左右,反向電阻值大于500kΩ 。在測量反向電阻值時 ,紅表筆所接引腳不動,黑表筆脫離所接引腳后,先與柵極G觸碰一下 ,然后再去接原引腳,觀察萬用表讀數(shù)的變化情況。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?,則此紅表筆所接的即是源極S ,黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效,說明該管為N溝道場效應管 。若萬用表讀數(shù)仍為較大值,則黑表筆接回原引腳不變 ,改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳,若此時萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)?,則此時黑表筆接的為源極S ,紅表筆接的是漏極D。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效,說明該管為P溝道場效應晶體管。
2.判別其好壞 。用萬用表R×1k檔或R×10k檔,測量場效應管任意兩腳之間的正、反向電阻值。正常時,除漏極與源極的正向電阻值較小外 ,其余各引腳之間(G與D 、G與S)的正、反向電阻值均應為無窮大。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω,則說明該管已擊穿損壞 。另外,還可以用觸發(fā)柵極(P溝道場效應晶體管用紅表筆觸發(fā) ,N溝道場效應管用黑表筆觸發(fā))的方法來判斷場應管是否損壞。若觸發(fā)有效(觸發(fā)柵極G后,D、S極之間的正 、反向電阻均變?yōu)?),則可確定該管性能良好。用吧三,1用10K檔,內有15伏電池.可提供導通電壓.2因為柵極等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源 。
一般正面對你 ,(散熱片為背面)左起為GDS。拿萬用表量的話,S到D為正向二極管,拿電阻檔量約為500K ,二極管檔量為0.4V。另外用電阻檔量AH后,(紅表筆接G,黑表筆接S)DS會通。即接兩邊兩腳后 ,中間腳和另一腳會通
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