加勒比一本大道香蕉在线视频,精品国产Av一区二区三区,亚洲欧美在线视频,成免费crm特色学生版的特点

  1. <strike id="u0gf7"></strike>

      <span id="u0gf7"></span><menuitem id="u0gf7"></menuitem>
      <dfn id="u0gf7"><span id="u0gf7"></span></dfn>
      0755-33653221
      歡迎光臨深圳市振邦微科技官網(wǎng)

      在線
      客服

      在線客服服務(wù)時間:9:00-22:00

      技術(shù)
      熱線

      131-4842-9910
      7*12小時客服服務(wù)熱線

      頂部
      當(dāng)前位置:網(wǎng)站首頁 > 產(chǎn)品中心 > MOS及電源模塊 > 4N60 正文 4N60

      4n65emos管怎么測好壞_怎樣測量5n60管子好壞

      振邦微科技 2023-03-22 18:33:08 4N60 1037 ℃ 3 評論

      mos管用數(shù)字萬用表怎么測其好壞及引腳?

      用數(shù)字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法:以N溝道MOS場效應(yīng)管為例 。

      一、先確定MOS管的引腳:

      1 、先對MOS管放電,將三個腳短路即可;

      1、首先找出場效應(yīng)管的D極(漏極)。對于TO-252、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應(yīng)管 ,它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的,故我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測量管子的各個引腳,哪個引腳與散熱片相連 ,哪個引腳就是D極。

      2 、找到D極后,將萬用表調(diào)至二極管檔;

      3、用黑表筆接觸管子的D極,用紅表筆分別接觸管子的另外兩個引腳 。若接觸到某個引腳時 ,萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降 ,那么該引腳即為S極(源極),剩下的那個引腳即為G極(柵極)。

      二、MOS管好壞的測量:

      1 、當(dāng)把紅表筆放在S極上,黑表筆放在D極上 ,可以測出來這個導(dǎo)通壓降,一般在0.5V左右為正常;

      2 、G腳測量,需要先對G極充下電 ,把紅表筆放在G極,黑表筆放在S極;

      3、再次把紅表筆放在S極上,黑表筆放在D極上 ,可以測出來這個放大壓降,一般在0.3V左右為正常;

      擴展資料

      MOS管的主要參數(shù)

      1、開啟電壓VT

      開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;

      標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管,VT約為3~6V;通過工藝上的改進 ,可以使MOS管的VT值降到2~3V。

      2 、直流輸入電阻RAH

      即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

      這一特性有時以流過柵極的柵流表示

      MOS管的RAH可以很容易地超過1010Ω 。

      3.、漏源擊穿電壓BVDS

      在VAH=0(增強型)的條件下,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

      ID劇增的原因有下列兩個方面:

      (1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿;

      (2)漏源極間的穿通擊穿;

      有些MOS管中,其溝道長度較短 ,不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū) ,使溝道長度為零,即產(chǎn)生漏源間的穿通,穿通后 ,源區(qū)中的多數(shù)載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達漏區(qū) ,產(chǎn)生大的ID 。

      4、柵源擊穿電壓BVAH

      在增加?xùn)旁措妷哼^程中,使柵極電流IG由零開始劇增時的VAH,稱為柵源擊穿電壓BVAH。

      5 、低頻跨導(dǎo)gm

      在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo);

      gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)

      一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

      6、導(dǎo)通電阻RON

      導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對ID的影響,是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)

      在飽和區(qū) ,ID幾乎不隨VDS改變,RON的數(shù)值很大,一般在幾十千歐到幾百千歐之間

      由于在數(shù)字電路中 ,MOS管導(dǎo)通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下 ,所以這時的導(dǎo)通電阻RON可用原點的RON來近似

      ·對一般的MOS管而言,RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

      7、極間電容

      三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

      CAH和CGD約為1~3pF,CDS約在0.1~1pF之間

      8、低頻噪聲系數(shù)NF

      噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的?!び捎谒拇嬖? ,就使一個放大器即便在沒有信號輸人時,在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

      噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示,它的單位為分貝(dB) 。這個數(shù)值越小 ,代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

      低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)

      場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝,它比雙極性三極管的要小

      4n65emos管怎么測好壞_怎樣測量5n60管子好壞,第1張

      怎么用萬用表測量MOS管的好壞?

      以N溝道MOS場效應(yīng)管5N60C為例4n65emos管怎么測好壞,來詳細(xì)介紹一下具體4n65emos管怎么測好壞的測量方法。

      1.N溝道MOS場效應(yīng)管好壞4n65emos管怎么測好壞的測量方法

      2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極。

      測量5N60C好壞時 ,首先將萬用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔,將5N60C的G極懸空,用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ,若是好的管子,萬用表顯示為“OL”,即溢出(見上圖) 。

      3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測量5N60C的D-S兩極。

      然后調(diào)換紅黑表筆 ,再去測量D-S兩極 ,則萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降(見上圖)。

      若MOS場效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞,用二極管檔測量時,萬用表顯示的讀數(shù)接近于零 。

      4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極(G-S兩極)之間的電容充電。對于N溝道MOS場效應(yīng)管充電時 ,紅表筆應(yīng)接管子的G極,黑表筆接管子的S極。

      在測量完5N60C的D-S兩極,并且確實是好的之后 ,然后用二極管檔給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電 。

      由于MOS場效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(GΩ讀作吉歐,1GΩ=1000MΩ),數(shù)字萬用表二極管檔的開路測量電壓約為2.8~3V ,故用二極管檔的測量電壓給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后,可以使MOS場效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小,故用這個方法可以測量場效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞。

      5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ,用電阻檔實測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。

      6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω 。

      上面為一個好的N溝道MOS場效應(yīng)管的測量數(shù)據(jù) 。對于P溝道MOS場效應(yīng)管的測量方法與上述測量一樣,只是萬用表表筆需要調(diào)換一下極性。

      擴展資料4n65emos管怎么測好壞

      mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的 ,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。在多數(shù)情況下 ,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

      場效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化 。FET的增益等于它的transconductance ,定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管 。

      場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。

      最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體 。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代4n65emos管怎么測好壞了雙極型晶體管。

      MOS管如何檢測其是否燒壞了?謝謝回答

      測試MOS好壞只能用指針式萬用表才方便點4n65emos管怎么測好壞,測試時選擇歐姆R×10K檔4n65emos管怎么測好壞 ,這時電壓可達10.5V4n65emos管怎么測好壞,紅筆是負(fù)電位,黑筆是正電位 。

      測試步驟4n65emos管怎么測好壞

      MOS管4n65emos管怎么測好壞的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路 、斷路、放大 。其步驟如下:

      1、把紅筆接到MOS的源極S上 ,黑筆接到MOS管的漏極上,好的表針指示應(yīng)該是無窮大。如果有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。

      2 、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和源極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上 ,黑筆接到MOS管的漏極上 ,這時表針指示的值一般是0,這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場 ,由于電場產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通,故萬用表指針偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)的角度大 ,放電性越好 。

      3 、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開,萬用表紅黑筆不變,如果移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無窮大 ,則MOS管漏電,不變則完好。

      4、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來,如果指針立即返回?zé)o窮大 ,則MOS完好。

      mos管怎么測試好壞

      用萬能表檢測mos管好壞的方法:

      將萬用表兩個表筆分別搭接在其他兩個極:給B極與任意一個極接一個10千歐姆電阻,電阻先不要接上,把表筆分別放在兩級 ,電阻這時再接觸 ,指針擺動越大證明該管子放大系數(shù)就越大,也就是說該管子就越好,反之越差 。

      接電阻的那一端為C極;若是紅表筆為P管 ,黑表筆為N管。凡是不符合以上測量數(shù)據(jù)的三極管都是壞的。

      萬用表的相關(guān)要求規(guī)定:

      1、指針表讀取精度較差,但指針擺動的過程比較直觀,其擺動速度幅度有時也能比較客觀地反映了被測量的大?。ū热鐪y電視機數(shù)據(jù)總線(SDL)在傳送數(shù)據(jù)時的輕微抖動);數(shù)字表讀數(shù)直觀 ,但數(shù)字變化的過程看起來很雜亂,不太容易觀看 。

      2 、數(shù)字萬用表的準(zhǔn)確度是測量結(jié)果中系統(tǒng)誤差與隨機誤差的綜合。它表示測量值與真值的一致程度,也反映測量誤差的大小。一般講準(zhǔn)確度愈高 ,測量誤差就愈小,反之亦然 。

      3、指針表內(nèi)一般有兩塊電池,一塊低電壓的1.5V,一塊是高電壓的9V或15V,其黑表筆相對紅表筆來說是正端。數(shù)字表則常用一塊6V或9V的電池。在電阻檔 ,指針表的表筆輸出電流相對數(shù)字表來說要大很多,用R×1Ω檔可以使揚聲器發(fā)出響亮的“噠 ”聲,用R×10kΩ檔甚至可以點亮發(fā)光二極管 。

      根據(jù)客戶要求的不同 ,我司有針對4n65emos管怎么測好壞產(chǎn)品多種技術(shù)處理方案 ,技術(shù)資料也有所不同,所以不能直接呈現(xiàn),有需求的客戶請與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001 ,謝謝!



      推薦閱讀:

      12v轉(zhuǎn)5v穩(wěn)壓電路圖

      60v降12v2A(LED驅(qū)動IC)

      80v轉(zhuǎn)12v-振邦微

      本文標(biāo)簽:4n65emos管怎么測好壞控制

      版權(quán)說明:如非注明,本站文章均為 深圳市振邦微科技有限公司-220v轉(zhuǎn)12v|220v轉(zhuǎn)5v|電源模塊|升降壓芯片 原創(chuàng),轉(zhuǎn)載請注明出處和附帶本文鏈接。

      深圳市振邦微科技提供:220v轉(zhuǎn)12v、220v轉(zhuǎn)5v芯片、電源模塊、 升降壓芯片、無線發(fā)射ic、PWM調(diào)光芯片、收音ic及電路圖,專業(yè) 的DCDC電源方案商,如需咨詢請聯(lián)系深圳市振邦微電子