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      如何檢測(cè)mos管好壞_如何檢測(cè)mos管好壞

      振邦微科技 2023-03-22 09:33:10 芯片常識(shí) 645 ℃ 1 評(píng)論

      電動(dòng)車(chē)控制器mos管如何檢測(cè)好壞

      首先,斷開(kāi)控制器與電源連接如何檢測(cè)mos管好壞,把控制器粗黑線與粗紅線碰接短路如何檢測(cè)mos管好壞 ,這樣做的目的是放完內(nèi)部電容余電。

      然后如何檢測(cè)mos管好壞,把三根粗黃線對(duì)粗黑碰線短接如何檢測(cè)mos管好壞,目的同上 。一定要放電后再進(jìn)行測(cè)量。這三根粗黃線實(shí)際上是三根相線。

      做完以上準(zhǔn)備工作后 ,按以下三個(gè)步驟操作,即可判斷控制器好壞 。

      第一步:將萬(wàn)用表置于二極管檔測(cè)量,用紅表筆接控制器負(fù)極 ,黑表筆依次測(cè)量控制器主線中的黃 、綠、藍(lán)線 ,讀數(shù)約在500左右(數(shù)字萬(wàn)用表),三次讀數(shù)應(yīng)基本一致。

      第二步:用萬(wàn)用表黑表筆接控制器正極,紅表筆依次接控制器主線黃、綠 、藍(lán)線 ,讀數(shù)約在500左右,三次讀數(shù)應(yīng)基本一致

      第三步:如果第一、二步的測(cè)量正常,則表示無(wú)刷控制器基本正常 ,把控制器與車(chē)體線路正常連接,接通電源,拔掉制動(dòng)線 ,用萬(wàn)用表電壓檔測(cè)量轉(zhuǎn)把5V電壓是否正常。

      若以上測(cè)試正常,表示控制器基本正常,否則可判定控制器損壞 。

      擴(kuò)展資料

      電動(dòng)車(chē)控制器的作用

      1、驅(qū)動(dòng)電機(jī)旋轉(zhuǎn) 。

      2 、在轉(zhuǎn)把的控制下改變電機(jī)驅(qū)動(dòng)電流 ,從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)速度的調(diào)整。

      3 、在閘把(剎把)的控制下切斷輸出電流,實(shí)現(xiàn)剎車(chē)控制。

      4、對(duì)蓄電池電壓進(jìn)行檢測(cè),在蓄電池存儲(chǔ)的電壓接近“放電終止電壓 ”時(shí) ,通過(guò)控制器面板(或儀表顯示盤(pán))來(lái)顯示電量不足如何檢測(cè)mos管好壞;提醒騎行者調(diào)整自己的行程 ,當(dāng)達(dá)到終止電壓時(shí),通過(guò)取樣電阻將該信號(hào)送到比較器,由電路輸出保護(hù)信號(hào) ,致使、保護(hù)電路按預(yù)先設(shè)定的程序發(fā)出指令,切斷電流以保護(hù)充電器和蓄電池 。

      5 、過(guò)流保護(hù),電流過(guò)大時(shí)過(guò)流保護(hù)電路動(dòng)作 ,使電機(jī)停轉(zhuǎn),避免過(guò)流給電機(jī)和控制器帶來(lái)危害。另外,部分控制器還具有防飛車(chē)保護(hù)、巡行限速等功能。

      MOS管用數(shù)字萬(wàn)用表怎么測(cè)其好壞及引腳?

      用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量MOS管好壞及引腳如何檢測(cè)mos管好壞的方法:以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例 。

      一、先確定MOS管的引腳:

      1 、先對(duì)MOS管放電如何檢測(cè)mos管好壞 ,將三個(gè)腳短路即可;

      1、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極(漏極)。對(duì)于TO-252、TO-220這類(lèi)封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管如何檢測(cè)mos管好壞,它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的,故我們可用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳 ,哪個(gè)引腳與散熱片相連,哪個(gè)引腳就是D極。

      2 、找到D極后,將萬(wàn)用表調(diào)至二極管檔;

      3、用黑表筆接觸管子的D極 ,用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳 。若接觸到某個(gè)引腳時(shí) ,萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降,那么該引腳即為S極(源極),剩下的那個(gè)引腳即為G極(柵極)。

      二、MOS管好壞的測(cè)量:

      1 、當(dāng)把紅表筆放在S極上 ,黑表筆放在D極上,可以測(cè)出來(lái)這個(gè)導(dǎo)通壓降,一般在0.5V左右為正常;

      2、G腳測(cè)量 ,需要先對(duì)G極充下電,把紅表筆放在G極,黑表筆放在S極;

      3、再次把紅表筆放在S極上 ,黑表筆放在D極上,可以測(cè)出來(lái)這個(gè)放大壓降,一般在0.3V左右為正常;

      擴(kuò)展資料

      MOS管的主要參數(shù)

      1 、開(kāi)啟電壓VT

      開(kāi)啟電壓(又稱(chēng)閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;

      標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管 ,VT約為3~6V;通過(guò)工藝上的改進(jìn),可以使MOS管的VT值降到2~3V。

      2 、直流輸入電阻RAH

      即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

      這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示

      MOS管的RAH可以很容易地超過(guò)1010Ω 。

      3.、漏源擊穿電壓BVDS

      在VAH=0(增強(qiáng)型)的條件下,在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BVDS

      ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面:

      (1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿;

      (2)漏源極間的穿通擊穿;

      有些MOS管中 ,其溝道長(zhǎng)度較短 ,不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū),使溝道長(zhǎng)度為零,即產(chǎn)生漏源間的穿通 ,穿通后,源區(qū)中的多數(shù)載流子,將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引 ,到達(dá)漏區(qū),產(chǎn)生大的ID。

      4、柵源擊穿電壓BVAH

      在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中,使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VAH ,稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVAH。

      5 、低頻跨導(dǎo)gm

      在VDS為某一固定數(shù)值的條件下,漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導(dǎo);

      gm反映如何檢測(cè)mos管好壞了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

      一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

      6、導(dǎo)通電阻RON

      導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響 ,是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

      在飽和區(qū),ID幾乎不隨VDS改變,RON的數(shù)值很大 ,一般在幾十千歐到幾百千歐之間

      由于在數(shù)字電路中 ,MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下,所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似

      ·對(duì)一般的MOS管而言,RON的數(shù)值在幾百歐以?xún)?nèi)

      7、極間電容

      三個(gè)電極之間都存在著極間電容:柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

      CAH和CGD約為1~3pF ,CDS約在0.1~1pF之間

      8、低頻噪聲系數(shù)NF

      噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的 ?!び捎谒拇嬖?,就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí),在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

      噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示 ,它的單位為分貝(dB) 。這個(gè)數(shù)值越小,代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

      低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

      場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝,它比雙極性三極管的要小

      如何檢測(cè)mos管好壞_如何檢測(cè)mos管好壞,第1張

      mos管怎么測(cè)試好壞

      測(cè)電阻法檢測(cè)MOS管是用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的源極與漏極、柵極與源極 、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同MOS管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法如何檢測(cè)mos管好壞:首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔如何檢測(cè)mos管好壞 ,測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊(cè)中可知,各種不同型號(hào)的管 ,其電阻值是各不相同的),如果測(cè)得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大 ,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔 ,再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極 、柵極與漏極之間的電阻值,當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大,則說(shuō)明管是正常的;若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥? ,則說(shuō)明管是壞的 。要注意,若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。

      MOS管的好壞如何鑒別

      用數(shù)字萬(wàn)用表判斷MOS管的好壞

      一.紅左如何檢測(cè)mos管好壞 ,黑中、右 無(wú)窮大

      黑左, 紅中、右 無(wú)窮大

      紅中,黑右 無(wú)窮大如何檢測(cè)mos管好壞;

      黑中紅右顯示530(左右)。

      其實(shí)場(chǎng)效應(yīng)管三極管很好判斷:有字面朝上從左到右依次為:G 、D 、S ,有些管相反:S、D、G 。我修顯示器 、主板、電源都是從上面的方法測(cè)絕對(duì)沒(méi)問(wèn)題。你不信隨便拆塊板看一看,場(chǎng)效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)

      二.1判別各電極與管型

      用萬(wàn)用表R×100檔,測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值。其中一次測(cè)量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆 ,這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D,而另一引腳為柵極G 。

      再用萬(wàn)用表R×10k檔測(cè)量?jī)梢_(漏極D與源極S)之間的正 、反向電阻值。正常時(shí),正向電阻值為2kΩ左右 ,反向電阻值大于500kΩ。

      在測(cè)量反向電阻值時(shí) ,紅表筆所接引腳不動(dòng),黑表筆脫離所接引腳后,先與柵極G觸碰一下 ,然后再去接原引腳,觀察萬(wàn)用表讀數(shù)的變化情況 。若萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)較大阻值變?yōu)?,則此紅表筆所接的即是源極S ,黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效,說(shuō)明該管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。若萬(wàn)用表讀數(shù)仍為較大值,則黑表筆接回原引腳不變 ,改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳,若此時(shí)萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)阻值較大變?yōu)?,則此時(shí)黑表筆接的為源極S ,紅表筆接的是漏極D 。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效,說(shuō)明該管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 。

      2.判別其好壞

      用萬(wàn)用表R×1k檔或R×10k檔,測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管任意兩腳之間的正、反向電阻值。正常時(shí) ,除漏極與源極的正向電阻值較小外 ,其余各引腳之間(G與D、G與S)的正 、反向電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)得某兩極之間的電阻值接近0Ω,則說(shuō)明該管已擊穿損壞 。

      另外,還可以用觸發(fā)柵極(P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā) ,N溝道場(chǎng)效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā))的方法來(lái)判斷場(chǎng)應(yīng)管是否損壞。若觸發(fā)有效(觸發(fā)柵極G后,D、S極之間的正、反向電阻均變?yōu)?),則可確定該管性能良好。

      用吧

      三,1 用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.

      2 因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,

      不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái),否則是壞管.

      3 利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,

      且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.

      但要放電時(shí)需短路管腳或反充.

      4 大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.

      5 大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源.

      以上前三點(diǎn)必需掌握,后兩點(diǎn)靈活運(yùn)用,很快就能判管腳,分好壞.

      MOS管的好壞如何判斷

      用萬(wàn)用表R×1k檔或R×10k檔如何檢測(cè)mos管好壞 ,測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管任意兩腳之間如何檢測(cè)mos管好壞的正 、反向電阻值 。正常時(shí),除漏極與源極如何檢測(cè)mos管好壞的正向電阻值較小外,其余各引腳之間(G與D、G與S)的正、反向電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)得某兩極之間的電阻值接近0Ω ,則說(shuō)明該管已擊穿損壞。

      另外,還可以用觸發(fā)柵極(P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā),N溝道場(chǎng)效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā))的方法來(lái)判斷場(chǎng)應(yīng)管是否損壞 。若觸發(fā)有效(觸發(fā)柵極G后 ,D 、S極之間的正 、反向電阻均變?yōu)?),則可確定該管性能良好。

      怎么用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的好壞?

      以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例,來(lái)詳細(xì)介紹一下具體的測(cè)量方法。

      1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞的測(cè)量方法

      2.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極 。

      測(cè)量5N60C好壞時(shí) ,首先將萬(wàn)用表量程開(kāi)關(guān)調(diào)至二極管檔 ,將5N60C的G極懸空,用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極,若是好的管子 ,萬(wàn)用表顯示為“OL”,即溢出(見(jiàn)上圖)。

      3.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔反向測(cè)量5N60C的D-S兩極。

      然后調(diào)換紅黑表筆,再去測(cè)量D-S兩極 ,則萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降(見(jiàn)上圖) 。

      若MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞,用二極管檔測(cè)量時(shí),萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)接近于零 。

      4.用萬(wàn)用表的二極管檔給5N60C柵源兩極(G-S兩極)之間的電容充電。對(duì)于N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管充電時(shí) ,紅表筆應(yīng)接管子的G極,黑表筆接管子的S極。

      在測(cè)量完5N60C的D-S兩極,并且確實(shí)是好的之后 ,然后用二極管檔給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電 。

      由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(jí)(GΩ讀作吉?dú)W,1GΩ=1000MΩ),數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔的開(kāi)路測(cè)量電壓約為2.8~3V ,故用二極管檔的測(cè)量電壓給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后 ,可以使MOS場(chǎng)效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小,故用這個(gè)方法可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞。

      5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后,用電阻檔實(shí)測(cè)D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。

      6.用萬(wàn)用表電阻檔實(shí)測(cè)5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω 。

      上面為一個(gè)好的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量數(shù)據(jù)。對(duì)于P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法與上述測(cè)量一樣 ,只是萬(wàn)用表表筆需要調(diào)換一下極性。

      擴(kuò)展資料:

      mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下 ,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的 。

      場(chǎng)效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance ,定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管) 。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管 。

      場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。

      最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體 。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

      根據(jù)客戶要求的不同,我司有針對(duì)如何檢測(cè)mos管好壞產(chǎn)品多種技術(shù)處理方案 ,技術(shù)資料也有所不同 ,所以不能直接呈現(xiàn),有需求的客戶請(qǐng)與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001,謝謝!



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