mos管是什么？

MOS管一般又叫場效應(yīng)管mos管
，與二極管和三極管不衡肢同mos管，二極管只能通過正向電流 ，反向截止
，不能控制，三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流 ，MOS管是小電壓控制電流的。

MOS管的輸入電阻極大
，兆歐級的，容易驅(qū)動 ，但是價格比三極管要高
，一般適用于需要小電壓控制咐差世大電流的情況，電磁爐里一般就是用的20A或者25a的場慶擾效應(yīng)管 。

拓展資料mos管：

MOS電容的特性能被用來形成MOS管
。Gate ，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域 。其中一個稱為source
，另一個稱為drain
。假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓。

MOS管的工作原理

目前主板或顯卡上使用的MOS管并不太多 ，一般有10個左右 。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中
。因為MOS管主要為配件提供穩(wěn)定的電壓，所以一般用在CPU
、AGP插槽、內(nèi)存插槽附近。仔清其中
，CPU和AGP插槽附近布置了一組MOS管，而內(nèi)存插槽共用一組MOS管 。一般來說 ，MOS管兩個一組出現(xiàn)在主板上
。工作原理雙極晶體管將輸入端的小電流變化放大
，然后在輸出端輸出大的電流變化。雙極晶體管的增益定義為輸出電流與輸入電流之比(β) 。另一種晶體管叫FET，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。它們是電流控制裝置和電壓控制裝置
。FET的增益等于其跨導(dǎo))gm ，跨導(dǎo)定義為輸出電流的變化與輸入電壓的變化之比。FET的名字也來源于它的輸入柵極(稱為gate)
，它通過在絕緣層(氧化物SIO2)上投射電場來影響流經(jīng)晶體管的電流 。實際上沒有電念褲前流流過這個絕緣體(只是電容的作用)，所以FET的柵極電流很小(電容的電流損耗)
。最常見的FET在柵電極純戚下使用一薄層二氧化硅作為絕緣體。這種晶體管被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ，或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 。

求詳解:MOS管
，三極管，功率管 ，開關(guān)管之間的聯(lián)系與區(qū)別

開關(guān)管是MOS管和三極管的一種用途，即用于控制電路導(dǎo)通和關(guān)斷
。

區(qū)別在于MOS管使用電壓控制開關(guān)狀態(tài)而三極管是用電流控制開關(guān)狀態(tài)。MOS管和三極管也可以不用做開關(guān)管
，比如三極管經(jīng)常工作于放大區(qū)用作電流放大器件，這是就不能算開關(guān)管 。

功率管是相對于信號管而言的
。如果器件是用于控制功率轉(zhuǎn)換的那么就是功率管了 ，如果只是用于傳遞信號的那就是信號管了。

功率管和信號管沒有嚴格的界限 。同一只MOS管既能當信號管
，也能當功率管，但是一般功率管的功率轉(zhuǎn)換能力大于信號管
。

擴展資料：

mos管是金屬 、氧化物
、半導(dǎo)體、場效應(yīng)晶體管升笑鋒 ，或者稱是金屬—絕緣體 、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的
，他升帶們都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的 ，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的
。

三極管
，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管
、晶體三極管 ，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號
，也用作無觸點開關(guān) 。

功率管是在放大電路中擔(dān)任末級輸出的管子
。

開關(guān)三極管的外形與普通三極管外形相同，它工作于截止區(qū)和飽和區(qū) ，相當吵晌于電路的切斷和導(dǎo)通。由于它具有完成斷路和接通的作用，被廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電路中 。

參考資料：百度百科-mos管??? 百度百科-三極管?? 百度百科-功率管? 百度百科-開關(guān)管

mos管是什么原理，起什么作用的

MOS管的原理：

它是利用VAH 來控制“扮凳感應(yīng)電荷
”的多少 ，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況
，然后達到控制漏極電流的目的
。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子 ，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負電荷
，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道 ，即使在VAH =0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時
，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變 ，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化 。

作用：

1、可應(yīng)用于放大電路
。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高
，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2 、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換 。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換
。

3
、可以用作可變電阻。

4、可以方便地用作恒流源 。

5 、可以用作電子開關(guān)。

簡介：

mos管 ，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管
。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)
。在多數(shù)情況下
，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的 。

結(jié)譽滑構(gòu)特點：

MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示;其導(dǎo)通時只有一種極性的載流子(多慶缺臘子)參與導(dǎo)電 ，是單極型晶體管
。導(dǎo)電機理與小功率MOS管相同
，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷? ，功率MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。

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n溝道m(xù)os管? ? ? ? ? ? ? ? ?

p溝道m(xù)os管

其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ，因此具有很高的輸入電阻
，該管導(dǎo)通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道 。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管
。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時 ，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

mos管的介紹就聊到這里吧
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