mos管的引腳 ，G
、S、D分別代表什么？

G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極 。N溝道的電源一般接在D
，輸出S，P溝道的電源一般接在S ，輸出D
。

增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。

無(wú)論N型或者P型MOS管
，其工作原理本質(zhì)是一樣的 。

擴(kuò)展資料

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體
。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的 ，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化 。FET的增益等于它的transconductance
， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。

參考資料MOS管＿百度百科

場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）三個(gè)腳怎么區(qū)分？N和P怎么區(qū)分？

場(chǎng)效應(yīng)管

mos管三個(gè)管腳的

柵極

相當(dāng)于

晶體管

的

基極

mos管三個(gè)管腳，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的

發(fā)射極

和

集電極

。將

萬(wàn)用表

置于R×1k檔mos管三個(gè)管腳 ，用兩

表筆

分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正 、

反向

電阻

。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正
、反向電阻相等
，均為數(shù)KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換） ，余下的一個(gè)管腳即為柵極G 。

根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的

PN結(jié)

正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象
，可以判別出

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

的三個(gè)電極：若兩次測(cè)出的電阻值均很大，說(shuō)明是PN結(jié)的反向 ，即都是反向電阻
，可以判定是N

溝道

場(chǎng)效應(yīng)管，且

黑表

筆接的是柵極mos管三個(gè)管腳；若兩次測(cè)出的電阻值均很小 ，說(shuō)明是正向PN結(jié)
，

即是

正向電阻

，判定為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 ，黑表筆接的也是柵極
。

如何區(qū)分MOS管的3只腳？類(lèi)型？及怎么判斷好壞？怎么判定是否正常工作？不要COPY
，簡(jiǎn)明詳細(xì)！

1.正面管腳向下從左到右依次是 G D S (也有特殊的)。

2.帶P的大多是P溝道的 。

3.萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量，如果都通了一定壞(半死狀態(tài)測(cè)量很麻煩
。)

請(qǐng)問(wèn)N溝道、耗盡型的場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)管腳怎么接？

舉例說(shuō)明 ，自己畫(huà)了一個(gè)通俗
、簡(jiǎn)單的場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)LED的電路圖
，左圖為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（型號(hào)IRF630），右圖為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（型號(hào)IRF9640） ，電源電壓12V
，具體到你這個(gè)電路中，圖中電阻等元件可以根據(jù)實(shí)際電路更換相關(guān)阻值 ，從圖中你可以初步了解場(chǎng)效應(yīng)管做開(kāi)關(guān)電路的接法。下面簡(jiǎn)要說(shuō)明 。

場(chǎng)效應(yīng)管
，英文縮寫(xiě)MOSFET，一般有3個(gè)管腳
。依內(nèi)部PN結(jié)方向的不同 ，MOSFET分為N溝道型（上圖）和P溝道型（下圖）
，如下面圖所示，一般使用N溝道型可帶來(lái)便捷性。

N溝道MOSFET管用法】：（柵極G高電平D與S 間導(dǎo)通 ，柵極G低電平D與S間 截止，P溝道與之相反）

柵極/基極(G)接控制信號(hào)
，

源極(S)接負(fù)載電源負(fù)極（模擬地），漏極(D)接負(fù)載輸出負(fù)極 ，負(fù)載輸入正極直接接負(fù)載電源正極 。

當(dāng)柵極/基極(G)電壓大于MOSFET管開(kāi)啟電壓（通常為1.2V）
，源極(S)到漏極(D)導(dǎo)通，導(dǎo)通電流很小 ，可以認(rèn)為源極(S)和漏極(D)直接短接
。這樣負(fù)載負(fù)極被連通負(fù)載電源負(fù)極
，負(fù)載工作。當(dāng)柵極/基極(G)電壓小于MOSFET管開(kāi)啟電壓時(shí)，源極(S)到漏極(D)電阻極大 ，可以認(rèn)為源極(S)到漏極(D)斷路
，則負(fù)載負(fù)極被負(fù)載電源正極拉高，負(fù)載不工作 。（這里只用最易理解的語(yǔ)言說(shuō)說(shuō)用法 ，事實(shí)上MOSFET的開(kāi)啟和關(guān)閉取決于柵極/基極(G)和源極(S)之間的正壓差）

這樣
，我們只要控制MOSFET的柵極/基極(G)電壓有無(wú)，即可控制負(fù)載的工作與不工作 ，形成一個(gè)開(kāi)關(guān)效應(yīng)。MOSFET管的開(kāi)關(guān)時(shí)間非常快，一般在納秒極
，你就認(rèn)為是瞬間開(kāi)啟/關(guān)閉就可以了，在MOSFET管內(nèi)部是沒(méi)有延遲的
。

由于MOSFET管的快速開(kāi)關(guān)特性 ，使用高頻PWM方波信號(hào)對(duì)其柵極/基極(G)進(jìn)行控制
，可以在輸出端獲得超高速切換的平均電壓，這個(gè)平均電壓取決于PWM波的占空比。這就是UBEC或者電調(diào)等模型設(shè)備的降壓和調(diào)速原理 。這種高頻開(kāi)關(guān)降壓方法幾乎沒(méi)有能量損失 ，效率一般在95%以上
。

【P溝道MOSFET管用法】：】：（柵極G高電平D與S 間截止
，柵極G低電平D與S間 導(dǎo)通）

柵極/基極(G)接控制信號(hào)，源極(S)接負(fù)載電源正極 ，漏極(D)接負(fù)載輸入正極
，負(fù)載輸出負(fù)極直接接負(fù)載電源負(fù)極（模擬地）。

當(dāng)柵極/基極(G)電壓小于源極(S)電壓（負(fù)載電源電壓）1.2V以上時(shí)，源極(S)到漏極(D)導(dǎo)通 ，導(dǎo)通電流很小
，可以認(rèn)為源極(S)和漏極(D)直接短接 。這樣負(fù)載正極被連通負(fù)載電源正極，負(fù)載工作
。當(dāng)柵極/基極(G)電壓小于源極(S)電壓（負(fù)載電源電壓）不足1.2V ，或柵極/基極(G)電壓大于等于源極(S)電壓時(shí)，源極(S)到漏極(D)電阻極大
，可以認(rèn)為源極(S)到漏極(D)斷路，則負(fù)載不工作。

MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管做為快速開(kāi)關(guān)元件的用法就簡(jiǎn)單說(shuō)到這里 ，復(fù)雜理論咱不說(shuō)它
，知道怎么用就行了 。如果僅僅是做為電子開(kāi)關(guān)使用，也可以簡(jiǎn)單用三極管代替MOSFET管 ，只不過(guò)三極管的效率、開(kāi)關(guān)速度 、開(kāi)關(guān)可靠性遠(yuǎn)不如MOSFET管
。

mos管三個(gè)引腳圖順序

G：gate柵極mos管三個(gè)管腳；S：source 源極；D：drain 漏極。N溝道的電源一般接在Dmos管三個(gè)管腳
，輸出Smos管三個(gè)管腳，P溝道的電源一般接在Smos管三個(gè)管腳 ，輸出D 。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣
。

這是MOS管熱釋電紅外傳感器
，那個(gè)矩形框是感應(yīng)窗口，G腳為接地端 ，D腳為內(nèi)部MOS管漏極
，S腳為內(nèi)部MOS管源極。在電路中，G接地 ，D接電源正，紅外信號(hào)從窗口輸入
，電信號(hào)從S輸出 。

關(guān)于MOS管

晶體管有N型channel所有它稱(chēng)為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在 ，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管
。

判斷源極S
、漏極D

將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測(cè)兩次電阻
，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極 ，紅表筆接D極 。因?yàn)闇y(cè)試前提不同
，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些
。

mos管三個(gè)管腳的介紹就聊到這里吧，感謝你花時(shí)間閱讀本站內(nèi)容 ，更多關(guān)于mos管引腳定義、mos管三個(gè)管腳的信息別忘了在本站進(jìn)行查找喔。