mos管的主要應(yīng)用

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。 雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化
。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管 ，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET）
，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化 。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比
。 場(chǎng)效粗蘆應(yīng)管的名字也來(lái)源于它的輸入端（稱(chēng)為gate）通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流余哪過(guò)這個(gè)絕緣體 ，所以FET管的GATE電流非常小 。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作巖毀帶為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管
，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）
。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

mos管的作用

mos管的握殲盯作用：可應(yīng)用于放大電路 。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高 ，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器
。很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換 ?？梢杂米骺勺冸娮?
?？梢苑奖愕赜米骱懔髟??？梢杂米麟娮娱_(kāi)關(guān) 。

MOS管為壓控元件
，只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通，它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣 ，導(dǎo)通結(jié)的壓降最小
，常說(shuō)的精典是開(kāi)關(guān)作用
。去掉這個(gè)控制電壓經(jīng)就截止。

MOS管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型 。因此 ，MOS管有時(shí)被稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管
。在一般電子電路中
，MOS管通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。

MOS管的特性

開(kāi)關(guān)特性 。MOS管是壓控器件，作為開(kāi)關(guān)時(shí) ，NMOS只要滿(mǎn)足VgsVgs(th)即可導(dǎo)通
，PMOS只要滿(mǎn)足Vgs。

開(kāi)關(guān)損耗
。MOS的損耗主要包括開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通損耗是由于導(dǎo)通后存在導(dǎo)通電阻而產(chǎn)生的 ，導(dǎo)通電阻都很小。段和開(kāi)關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進(jìn)入夾斷區(qū)的過(guò)程中
，MOS處于恒流改汪區(qū)時(shí)所產(chǎn)生的損耗 。開(kāi)關(guān)損耗遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗
。減小損耗通常有兩個(gè)方法，一是縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間 ，二是降低開(kāi)關(guān)頻率。

由壓控所導(dǎo)致的的開(kāi)關(guān)特性 。由于制作工藝的限制，NMOS的使用場(chǎng)景要遠(yuǎn)比PMOS廣泛
，因此在將更適合于高端驅(qū)動(dòng)的PMOS替換成NMOS時(shí)便出現(xiàn)了問(wèn)題
。

在寬電壓的應(yīng)用場(chǎng)景中，柵極的控制電壓很多時(shí)候是不確定的 ，為了保證MOS管的安全工作
，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來(lái)限制柵極的控制電壓。

mos管的作用什么

MOS管的作用 MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣,導(dǎo)通結(jié)的壓降最小.這就是常說(shuō)的精典是開(kāi)關(guān)作用.去掉這個(gè)控制電壓經(jīng)就截止. MOS管 MOS管的英文全稱(chēng)悄或叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管 ，屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型 。因此
，MOS管有時(shí)被稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管
。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中 ，MOSFET扮悄運(yùn)神演的角色主要是判斷電位
，它在主板上常用“Q ”加數(shù)字表示 。 一、MOS管的作用是什么？ 目前主板或顯卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10個(gè)左右 ，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了
。由于MOS管主要是為配件提供穩(wěn)定的電壓
，所以它一般使用在CPU 、AGP插槽和內(nèi)存插槽附近。其中在CPU與AGP插槽附近各安排一組MOS管，而內(nèi)存插槽則共用了一組MOS管 ，MOS管一般是以?xún)蓚€(gè)組成一組的形式出現(xiàn)主板上的 。 二
、MOS管的性能參數(shù)有哪些？ 優(yōu)質(zhì)的MOS管能夠承受的電流峰值更高。一般情況下我們要判斷主板上MOS管的質(zhì)量高低，可以看它能承受的最大電流值
。影響MOS管質(zhì)量高低的參數(shù)非常多
，像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上無(wú)法標(biāo)注這么多參數(shù)，所以在MOS管表面一般只標(biāo)注了產(chǎn)品的型號(hào) ，我們可以根據(jù)該型號(hào)上網(wǎng)查找具體的性能參數(shù) 。 還要說(shuō)明的是
，溫度也是MOS管一個(gè)非常重要的性能參數(shù)
。主要包括環(huán)境溫度 、管殼溫度
、貯成溫度等。由于CPU頻率的提高，MOS管需要承受的電流也隨著增強(qiáng) ，提供近百A的電流已經(jīng)很常見(jiàn)了 。如此巨大的電流通過(guò)時(shí)產(chǎn)生的熱量當(dāng)然使MOS管“發(fā)燒
”了
。為了MOS管的安全
，高品質(zhì)主板也開(kāi)始為MOS管加裝散熱片了。 電感與MOS管是如何合作的？ 通過(guò)上面的介紹，我們知道MOS管對(duì)于整個(gè)供電系統(tǒng)起著穩(wěn)壓的作用 ，但是MOS管不能單獨(dú)使用
，它必須和電感線(xiàn)圈、電容等共同組成的濾波穩(wěn)壓電路，才能發(fā)揮充分它的優(yōu)勢(shì) 。 主板上的AH M(Plus Width Modulator ，脈沖寬度調(diào)制器)芯片產(chǎn)啟虧生一個(gè)寬度可調(diào)的脈沖波形
，這樣可以使兩只MOS管輪流導(dǎo)通
。當(dāng)負(fù)載兩端的電壓(如CPU需要的電壓)要降低時(shí)，這時(shí)MOS管的開(kāi)關(guān)作用開(kāi)始生效 ，外部電源對(duì)電感進(jìn)行充電并達(dá)到所需的額定電壓。當(dāng)負(fù)載兩端的電壓升高時(shí)，通過(guò)MOS管的開(kāi)關(guān)作用
，外部電源供電斷開(kāi)，電感釋放出剛才充入的能量 ，這時(shí)的電感就變成了“電源”
，繼續(xù)對(duì)負(fù)載供電 。隨著電感上存儲(chǔ)能量的不斷消耗，負(fù)載兩端的電壓又開(kāi)始逐漸降低 ，外部電源通過(guò)MOS管的開(kāi)關(guān)作用又要充電
。這樣循環(huán)不斷地進(jìn)行充電和放電的過(guò)程
，從而形成一種穩(wěn)定的電壓，永遠(yuǎn)使負(fù)載兩端的電壓不會(huì)升高也不會(huì)降低。

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