mos管是什么？

MOS管一般又叫場效應(yīng)管mos場效應(yīng)管的全稱，與二極管和三極管不同 ，二極管只慶擾能通過正向電流
，反向截止，不能控制 ，三極管咐差世通俗講就是小電流放大成衡肢受控mos場效應(yīng)管的全稱的大電流
，MOS管是小電壓控制電流的。

MOS管的輸入電阻極大，兆歐級的 ，容易驅(qū)動
，但是價格比三極管要高，一般適用于需要小電壓控制大電流的情況 ，電磁爐里一般就是用的20A或者25a的場效應(yīng)管 。

拓展資料mos場效應(yīng)管的全稱：

MOS電容的特性能被用來形成MOS管
。Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域 。其中一個稱為source
，另一個稱為drain
。假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓。

MOS管是場效應(yīng)管的一種么？ 和其他場效應(yīng)管比有什么特點(diǎn)？

MOS管全稱是MOSFET ，意思是金屬絕緣柵型場效應(yīng)管
，因?yàn)樗臇艠O與溝道清棗搭之間有一層絕緣層而得名，且柵極通常采用鋁金屬作為材料而得名 。

它是場效應(yīng)管的一種（另外一種是結(jié)型場效應(yīng)管）
。

與結(jié)型管相比 ，MOS管的輸入電阻更巖粗大
，通過電流能力很強(qiáng)，耐壓值也可以做到比較高 ，可以承受更大的功率。但在頻率特性上面
，MOS管的表現(xiàn)不如結(jié)型管 。

因此MOS管一般被用于功率電路中，包括驅(qū)動電路 ，電源電路
，大電流開關(guān)等。而在答拿晶體管常用的小信號放大場合，結(jié)型管用得更多一些
。

mosfet全稱

MOSFET

全稱是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）

為減少續(xù)流電流在寄生二極管上產(chǎn)生mos場效應(yīng)管的全稱的損耗mos場效應(yīng)管的全稱 ，在一些應(yīng)用中使用 MOSFET 作為逆變元件。由于 MOAH ET 具有導(dǎo)通阻抗低、電流可以雙向流動的特點(diǎn)mos場效應(yīng)管的全稱，在 M1 關(guān)斷mos場效應(yīng)管的全稱
，進(jìn)入續(xù)流階段時，開通 M 2 ，使續(xù)流電流流經(jīng) M2
，由于 MOSFET 的導(dǎo)通阻抗極低，損耗很小 ，例如當(dāng)續(xù)流電流為 10A
， MOSFET 導(dǎo)通電阻 10mΩ，二極管 D2 壓降 0.7v 時 ，若續(xù)流電流流經(jīng) D2 時產(chǎn)生損耗為 7W
， 而流經(jīng) MOSFET 時產(chǎn)生損耗僅為 1W，槐隱因此使用這種控制方式可以減少損耗 ，提高逆變器的效 率
，在續(xù)流電鉛慎廳流大的情況下效果更加明顯 。這種控制方式亦稱為同步整流
。

MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型 ，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管孝拍
，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

MOSFET 依照其“通道 ”的極性不同 ，可分為n-channel與p-channel的MOSFET
，通常又稱為NMOSFET 與PMOSFET 。

mos管的作用是什么

目前主板或顯卡上使用mos場效應(yīng)管的全稱的MOS管并不太多mos場效應(yīng)管的全稱，一般有10個左右
。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因?yàn)镸OS管主要為配件提供穩(wěn)定的電壓mos場效應(yīng)管的全稱 ，所以一般用在CPU 、AGP插槽
、內(nèi)存插槽附近 。仔清其中
，CPU和AGP插槽附近布置mos場效應(yīng)管的全稱了一組MOS管，而內(nèi)存插槽共用一組MOS管
。一般來說 ，MOS管兩個一組出現(xiàn)在主板上。工作原理雙極晶體管將輸入端的小電流變化放大
，然后在輸出端輸出大的電流變化 。雙極晶體管的增益定義為輸出電流與輸入電流之比(β)
。另一種晶體管叫FET，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。它們是電流控制裝置和電壓控制裝置 。FET的增益等于其跨導(dǎo))gm ，跨導(dǎo)定義為輸出電流的變化與輸入電壓的變化之比。FET的名字也來源于它的輸入柵極(稱為gate)
，它通過在絕緣層(氧化物SIO2)上投射電場來影響流經(jīng)晶體管的電流
。實(shí)際上沒有電念褲前流流過這個絕緣體(只是電容的作用)，所以FET的柵極電流很小(電容的電流損耗)。最常見的FET在柵電極純戚下使用一薄層二氧化硅作為絕緣體 。這種晶體管被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ，或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)
。

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，技術(shù)資料也有所不同，所以不能直接呈現(xiàn) ，有需求的客戶請與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001
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